具備優異耐突入電流能力 650V 6A/8A/10A SiC 蕭特基勢壘二極體 XBSC41/XBSC42/XBSC43 系列

發布日期 : 2026年1月20日

特瑞仕半導體株式會社（日本東京都江東區，代表取締役：木村岳史，以下簡稱「特瑞仕」）開發了具備優異耐突入電流與浪湧電流能力的 650V SiC 蕭特基勢壘二極體 「XBSC41/XBSC42/XBSC43系列」。

XBSC41/XBSC42/XBSC43 系列支援 650V 耐壓，並提供 6A、8A、10A 多種電流規格，可依不同應用需求與設計條件進行靈活選擇。其低反向回復特性可有效降低切換損耗，實現高效率的電力轉換。

此外，本系列透過有效降低性能指標（FOM）（圖1），進一步減少功率損耗，實現高效率運作，同時大幅強化 IFSM（浪湧正向電流）（圖2）耐量。即使在產生嚴苛浪湧電流或突入電流的環境下，亦能保持穩定運作，進而提升整體系統的可靠性。

本系列在高效率與高可靠性之間達成高層次的平衡，充分發揮 SiC 元件高速切換與低損耗的特性，並在啟動或突入電流發生時提供充足的設計裕度。適用於切換式電源、白色家電、通用型變頻器等對可靠性要求嚴格的各類應用，可安心採用。

圖1. XBSC41/XBSC42/XBSC43 系列性能指標（FOM）
圖2. XBSC41/XBSC42/XBSC43 系列浪湧正向電流（IFSM）耐量
圖3. 封裝TO-220AC (10.29 x 28.69 x 4.75mm)

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