低導通電阻、高速切換 功率元件N通道MOSFET產品線擴充 XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R-G

發布日期 : 2025年1月10日

特瑞仕半導體株式會社（日本東京都中央區 董事總經理：木村 岳史，以下簡稱「特瑞仕」）開發了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為功率元件的新系列。

近年來，工業設備和汽車相關設備對低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應這些市場需求，特瑞仕不斷加強MOSFET技術。特別是針對工業設備、資料中心和伺服器使用的48V直流電機，採用了支援耐壓100V的設計，兼具高性能與高性價比。

XPJ101N04N8R實現了最大4.4mΩ的導通電阻，而XPJ102N09N8R實現了最大9.4mΩ的導通電阻。這種低導通電阻能夠有效降低能量損失，有助於提高整個系統的效率。該產品擁有出色的FOM（Figure of Merit），非常適合需要高速切換特性的應用。可用於直流馬達、開關電路等多種應用情境。

產品採用DFN5060-8L封裝（6.0 x 4.9 x h1.1mm），有助於設備的小型化。此外，這些產品符合歐盟RoHS指令，並為無鉛環保產品。

圖1. DFN5060-8L封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm)
產品名稱 封裝 VDSS ID(A) RDS(ON)(MAX.)
XPJ101N04N8R DFN5060-8L 100 122 4.4mΩ
XPJ102N09N8R DFN5060-8L 100 59 9.4mΩ

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