功率半導體SiC肖特基勢壘二極體850V/10A 開始提供樣品

發布日期 : 2023年5月12日

特瑞仕半導體株式會社(日本東京都中央區 董事總經理:芝宮 孝司 以下簡稱“特瑞仕”) 開始提供XBSC11A108CS 850V/10A肖特基勢壘二極體的樣品。該產品作為一種新的功率半導體產品,有助於空調以及電動汽車充電等電源系統的降低功耗和小型化。

特瑞仕半導體是專注於電源IC的類比CMOS專業集團,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導體的子公司,它開發的SiC SBD芯片將搭載多功能TO-220AC封裝上並將其推向市場。

我們計劃在2023年實現該產品的量產,以該產品為起點,逐步在產品陣容中增加650V~1200V規格。

特瑞仕今後也將根據市場需求迅速開發產品,為實現富裕的社會繼續做出貢獻。

圖 1. SiC-SBD TO-220AC「XBSC11A108CS」
產品名封裝VRM(V)IF(AV)(A)VF(V)
TYP
XBSC11A108CSTO-220AC850101.5

[样品]

產品名樣品價格
XBSC11A108CS800日元(含税价格)
*以上信息(包括產品價格/規格、服務詳情等)截至發布之日為最新信息。如有更改,恕不另行通知。

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